Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| 2N6433 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 50 MHz |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Серия | 2N6433 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Упаковка | Box |
| Упаковка / блок | TO-18 |