IXTP02N50D

Производитель: IXYS
Номер части: IXTP02N50D
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXTP02N50D Лист данных (PDF)	скачать

МОП-транзистор 0.2 Amps 500V 30 Rds

МОП-транзистор
Высота	9.15 mm
Длина	10.66 mm
Подкатегория	MOSFETs
Тип продукта	MOSFET
Ширина	4.83 mm
Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	25 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	30 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 20 V, + 20 V
Вес изделия	5.500 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	4 ns
Время спада	45 ns
Канальный режим	Depletion
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTP02N50
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	28 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: