DMN2011UFX-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN2011UFX-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	12.2 A, 12.2 A
Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Qg - заряд затвора	56 nC, 56 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	13 mOhms, 13 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V, 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 12 V, +/- 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	300 mV, 300 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	2.6 ns, 2.6 ns
Время спада	13.5 ns, 13.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN2011
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	21.6 ns, 21.6 ns
Типичное время задержки при включении	3.6 ns, 3.6 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN2050-4

Метки: