DMN2990UFZ-7B

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN2990UFZ-7B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	250 mA
Pd - рассеивание мощности	320 mW
Qg - заряд затвора	1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	990 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	2.1 ns
Время спада	7.7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	180 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN2990
Технология	-
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	3.5 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	X2-DFN0606-3

Метки: