MMIX1F360N15T2

Производитель: IXYS
Номер части: MMIX1F360N15T2
Нормоупаковка: 20 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 20

Описание Характеристики

МОП-транзистор SMPD МОП-транзисторs Power Device

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	235 A
Pd - рассеивание мощности	680 W
Qg - заряд затвора	715 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	170 ns
Время спада	265 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchT2, GigaMOS, HiperFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	140 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	20
Серия	MMIX1F360N15
Типичное время задержки выключения	115 ns
Типичное время задержки при включении	50 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SMPD-24

Метки: