Ничего не куплено!
BSC100N10NSF G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSC100N10NSF G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSC100N10NSF G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 90 A |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 23 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Другие названия товара № | BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGXT SP000379595 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 61 S, 31 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS 2 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
Страница создана за 0.826 секунд.