BSO615C G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSO615C G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.1 A, - 2 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms, 270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	75 ns, 105 ns
Время спада	18 ns, 90 ns
Другие названия товара №	BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	SIPMOS
Конфигурация	Dual Dual Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	BSO615
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns, 125 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns, 24 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DSO-8

Метки: