PMDPB95XNE,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PMDPB95XNE,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
PMDPB95XNE,115 Лист данных	скачать

МОП-транзистор PMDPB95XNE/HUSON6/REEL7

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.1 A
Pd - рассеивание мощности	6.25 W
Qg - заряд затвора	1.65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	95 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11 ns
Время спада	6 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	18 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN-2020-6

Метки: