Ничего не куплено!
PD85006-E
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: PD85006-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PD85006-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 36.5 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 6 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Рабочая частота | 1 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Серия | PD85006-E |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Усиление | 15 dB at 870 MHz |
Страница создана за 0.156 секунд.