Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| MRF652S Лист данных (PDF) | скачать |
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |
| Подкатегория | Transistors |
| Тип | RF Bipolar Power |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Рабочая частота | 512 MHz |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | Bipolar Power |
| Торговая марка | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | 249-06 |
| CAHTS | 8541290000 |
| CNHTS | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |