IMZ4T108

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: IMZ4T108
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 32V 500MA

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 40 V, + 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 32 V, + 32 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V, - 5 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	200 MHz, 250 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	IMZ4T
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-74

Метки: