FDC655BN

FDC655BN

FDC655BN
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FDC655BN
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 7 недель
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
FDC655BN Лист данных скачать
МОП-транзистор SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH МОП-транзистор
МОП-транзистор
Высота 1.1 mm
Длина 2.9 mm
Подкатегория MOSFETs
Продукт MOSFET Small Signal
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Ширина 1.6 mm
Id - непрерывный ток утечки 6.3 A
Pd - рассеивание мощности 1.6 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вес изделия 30 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4 ns
Время спада 4 ns
Другие названия товара № FDC655BN_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 20 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FDC655BN
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 22 ns
Типичное время задержки при включении 8 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок SSOT-6
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541210000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.212 секунд.