IRF6641TRPBF

Производитель: International Rectifier
Номер части: IRF6641TRPBF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.6 A
Pd - рассеивание мощности	89 W
Qg - заряд затвора	34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	51 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11 ns
Время спада	6.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DirectFET
Конфигурация	Single Dual Drain Dual Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	International Rectifier
Размер фабричной упаковки	4800
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	31 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	International Rectifier
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DirectFET-3

Метки: