GS61008P-E05-TY

Производитель: GaN Systems
Номер части: GS61008P-E05-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
GS61008P-E05-TY Лист данных (PDF)	скачать

МОП-транзистор 100V 90A E-Mode GaN Preproduction Units

МОП-транзистор
Высота	0.45 mm
Длина	7.5 mm
Ограничения на доставку	На данный момент "Системы ТЛТ" не поставляет эту продукцию в ваш регион.
Подкатегория	MOSFETs
Продукт	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Чувствительный к влажности	Yes
Ширина	4.54 mm
Id - непрерывный ток утечки	90 A
Qg - заряд затвора	12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	GaN Systems
Размер фабричной упаковки	200
Серия	GS61008
Технология	GaN
Торговая марка	GaN Systems
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	GaNPX-4
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
MXHTS	85414001
TARIC	8541409090
USHTS	8541407040

Метки: