Ничего не куплено!


| Дискретные полупроводниковые модули | |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Pd - рассеивание мощности | 355 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 120 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Screw |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 44 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 8, ISOTOP |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Производитель | Microsemi |
| Типичное время задержки выключения | 145 ns |
| Типичное время задержки при включении | 48 ns |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |