Ничего не куплено!
CGH60030D
Производитель: Cree, Inc.
Номер части: CGH60030D
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: CGH60030D
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 30W GaN Gain@ 4GHz 15dB
| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| NF - коэффициент шумов | - |
| P1dB - точка сжатия | - |
| Pd - рассеивание мощности | - |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 0.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 10 V to + 2 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 30 W |
| Диапазон рабочих температур | - |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Класс | - |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | - |
| Максимальная рабочая температура | - |
| Максимальное напряжение сток-затвор | - |
| Минимальная рабочая температура | - |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Применение | - |
| Производитель | Cree, Inc. |
| Рабочая частота | 4 GHz to 6 GHz |
| Средства разработки | - |
| Технология | GaN SiC |
| Тип транзистора | HEMT |
| Торговая марка | Cree, Inc. |
| Упаковка | Waffle |
| Упаковка / блок | Bare Die |
| Усиление | 15 dB |
Страница создана за 0.172 секунд.