Ничего не куплено!
STGP10NB60S
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGP10NB60S
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGP10NB60S
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 600-650V IGBTs |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.141 секунд.