DMN13H750S-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN13H750S-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	1 A
Pd - рассеивание мощности	1.26 W
Qg - заряд затвора	5.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	410 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	130 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	1.7 ns
Время спада	1.7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN13
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	6.6 ns
Типичное время задержки при включении	2.3 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: