IXGN400N30A3

Производитель: IXYS
Номер части: IXGN400N30A3
Нормоупаковка: 10 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 10

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 300V 1.15 V Rds

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	735 W
Вес изделия	38 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	GenX3
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	400 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	400 A
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	10
Серия	IXGN400N30
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227B-4

Метки: