FDB20N50F

FDB20N50F

FDB20N50F
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FDB20N50F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 5 недель
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
FDB20N50F Лист данных скачать
МОП-транзистор МОП-транзистор UNIFET1 500V ,20A
МОП-транзистор
Высота 4.83 mm
Длина 10.67 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 9.65 mm
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 250 W
Qg - заряд затвора 50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Вес изделия 1.762 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 120 ns
Время спада 60 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение UniFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 25 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 800
Серия FDB20N50F
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 100 ns
Типичное время задержки при включении 45 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок TO-263-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.165 секунд.