Ничего не куплено!
STGB6NC60HDT4
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGB6NC60HDT4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGB6NC60HDT4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 15 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STGB6NC60HD |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Страница создана за 0.213 секунд.