DMN1019UVT-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN1019UVT-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 12V Enh Mode FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	2.17 W
Qg - заряд затвора	50.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	350 mV
Время нарастания	22.2 ns
Время спада	16.8 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Dual Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	28 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN1019
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	57.6 ns
Типичное время задержки при включении	7.6 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel

Метки: