Ничего не куплено!
BSO612CV G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSO612CV G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSO612CV G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Qg - заряд затвора | 3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 120 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 35 ns, 60 ns |
| Время спада | 30 ns, 95 ns |
| Другие названия товара № | BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | SIPMOS |
| Конфигурация | Dual Dual Drain |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.2 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | BSO612 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns, 145 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns, 15 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DSO-8 |
Страница создана за 0.149 секунд.