DMN30H4D0L-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN30H4D0L-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	550 mA
Pd - рассеивание мощности	630 mW
Qg - заряд затвора	7.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.7 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.7 ns
Время спада	17.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	-
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN30
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25.8 ns
Типичное время задержки при включении	4.9 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	U-DFN2020-6

Метки: