Ничего не куплено!
FGA60N65SMD
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA60N65SMD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 4 недель
Номер части: FGA60N65SMD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 4 недель
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| FGA60N65SMD Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 60A Field Stop IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Вес изделия | 6.401 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FGA60N65SMD |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PN |
Страница создана за 0.145 секунд.