Ничего не куплено!
STGIPQ3H60T-HL
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGIPQ3H60T-HL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Номер части: STGIPQ3H60T-HL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGIPQ3H60T-HL Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 3 A |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | N2DIP-26 |
Страница создана за 0.144 секунд.