BSO150N03MD G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSO150N03MD G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9.3 A
Pd - рассеивание мощности	1.4 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	15 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3.8 ns
Время спада	3.8 ns
Другие названия товара №	BSO150N03MDGXT BSO150N03MDGXUMA1 SP000447476
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Dual Dual Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	OptiMOS 3M
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	8.7 ns
Типичное время задержки при включении	7.3 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DSO-8

Метки: