Ничего не куплено!
APT27GA90BD15
Производитель: Microsemi
Номер части: APT27GA90BD15
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APT27GA90BD15
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 223 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 900 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 48 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 48 A |
| Производитель | Microsemi |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.16 секунд.