Ничего не куплено!
BSS670S2LH6327XT
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSS670S2LH6327XT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSS670S2LH6327XT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 540 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Qg - заряд затвора | 2.26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 37 ns |
| Время спада | 32 ns |
| Другие названия товара № | BSS670S2LH6327XTSA1 SP000928950 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSS670S2 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Страница создана за 0.154 секунд.