Ничего не куплено!
APTM100A13SG
Производитель: Microsemi
Номер части: APTM100A13SG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APTM100A13SG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
| Дискретные полупроводниковые модули | |
| Id - непрерывный ток утечки | 65 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Screw |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 24 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Производитель | Microsemi |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SP-6 |
Страница создана за 0.148 секунд.