Ничего не куплено!
IRG7PH42UD-EP
Производитель: International Rectifier
Номер части: IRG7PH42UD-EP
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IRG7PH42UD-EP
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IRG7PH42UD-EP Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V Trench IGBT Generic Ind App
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 320 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 85 A |
| Производитель | International Rectifier |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Торговая марка | International Rectifier |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.152 секунд.