Ничего не куплено!
NTMFS5832NLT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTMFS5832NLT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NTMFS5832NLT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор NFET SO8FL 40V 110A 4.2MO
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 21 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Серия | NTMFS5832NL |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SO-8FL |
Страница создана за 0.18 секунд.