IXYJ20N120C3D1

Производитель: IXYS
Номер части: IXYJ20N120C3D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	105 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	21 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	21 A
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXYJ20N120
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: