SI2356DS-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI2356DS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 40V .051ohm@10V 4.3A N-Ch T-FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.3 A
Pd - рассеивание мощности	1.7 W
Qg - заряд затвора	8.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	56 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	52 ns
Время спада	53 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	13 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	18 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: