Ничего не куплено!
Описание | действие |
MJ11012G Лист данных | скачать |
Транзисторы Дарлингтона | |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 200, 1000 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 30 A |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
Полярность транзистора | NPN |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Серия | MJ11012 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | TO-204-2 (TO-3) |