Ничего не куплено!
TPH1R712MD,L1Q
Производитель: Toshiba
Номер части: TPH1R712MD,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новая технология: Новейшая технология для самых последних разработок.
Номер части: TPH1R712MD,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новая технология: Новейшая технология для самых последних разработок.Цена: по запросу
| Описание | действие |
| TPH1R712MD,L1Q Лист данных | скачать |
МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Qg - заряд затвора | 182 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 14 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Toshiba |
| Технология | Si |
| Типичное время задержки выключения | 1620 ns |
| Типичное время задержки при включении | 27 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOP-Advance-8 |
Страница создана за 0.135 секунд.