Ничего не куплено!
MG12150S-BN2MM
Производитель: Littelfuse
Номер части: MG12150S-BN2MM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: MG12150S-BN2MM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| MG12150S-BN2MM Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A Dual
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Вес изделия | 160 g |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Littelfuse |
| Серия | MG12150S |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Littelfuse |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | Package S |
Страница создана за 2.75 секунд.