SGB15N120

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: SGB15N120
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SGB15N120 Лист данных (PDF)	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Высота	4.4 mm
Длина	10.25 mm
Подкатегория	IGBTs
Тип продукта	IGBT Transistors
Ширина	9.9 mm
Вес изделия	2 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SGB15N12XT SP000012560 SGB15N120ATMA1
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	30 A
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	SGB15N120
Технология	Si
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок	TO-263-3
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: