Ничего не куплено!
BSM35GD120DLCE3224
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSM35GD120DLCE3224
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSM35GD120DLCE3224
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Hex |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | EconoPACK 2A |
Страница создана за 0.131 секунд.