Ничего не куплено!
DDB2U30N08VR
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: DDB2U30N08VR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: DDB2U30N08VR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 40 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | EASY750 |
Страница создана за 0.157 секунд.