AUIRF7669L2TR

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: AUIRF7669L2TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
AUIRF7669L2TR Лист данных	скачать

МОП-транзистор 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

МОП-транзистор
Высота	0.74 mm
Длина	9.15 mm
Квалификация	AEC-Q101
Ширина	7.1 mm
Id - непрерывный ток утечки	114 A
Pd - рассеивание мощности	100 W
Qg - заряд затвора	81 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	30 ns
Время спада	14 ns
Другие названия товара №	SP001519182
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	4000
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	27 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DirectFET-L8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: