SI2367DS-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI2367DS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): 330

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 3.8A 1.7W 66mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.8 A
Pd - рассеивание мощности	1.7 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	66 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 0.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	9 ns
Другие названия товара №	SI2367DS-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: