TPH4R606NH,L1Q

TPH4R606NH,L1Q

TPH4R606NH,L1Q
Производитель: Toshiba
Номер части: TPH4R606NH,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор N-Ch 60V FET 32A 63W 3050pF 49nC
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 85 A
Pd - рассеивание мощности 63 W
Qg - заряд затвора 49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V to 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 10 ns
Время спада 14 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Toshiba
Размер фабричной упаковки 5000
Серия U-MOSVIII
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 37 ns
Типичное время задержки при включении 24 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOP-8
Метки:
Страница создана за 0.163 секунд.