BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSB012N03LX3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 39 A
Pd - рассеивание мощности 2.8 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 8.6 ns
Время спада 8.4 ns
Другие названия товара № BSB012N03LX3GXUMA1 SP000597846
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single Quad Drain Dual Source
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 40 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 5000
Серия OptiMOS 3
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 47 ns
Типичное время задержки при включении 7.9 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок WDSON-2
Метки:
Страница создана за 0.753 секунд.