MJE350

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: MJE350
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
MJE350 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	20.8 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	30
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	3 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Полярность транзистора	PNP
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	500V Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-32

Метки: