DMN2014LHAB-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN2014LHAB-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	1.7 W
Qg - заряд затвора	16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	13 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.71 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15.5 ns
Время спада	12 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	D014LHAB
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	40.9 ns
Типичное время задержки при включении	6.9 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	U-DFN2030-6

Метки: