STGIPQ3H60T-HZ

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGIPQ3H60T-HZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGIPQ3H60T-HZ Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Half Bridge
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	3 A
Продукт	IGBT Silicon Carbide Modules
Производитель	STMicroelectronics
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	N2DIP-26

Метки: