Ничего не куплено!
Описание | действие |
MMBT5551LT1G Лист данных (PDF) | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
Подкатегория | Transistors |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Ширина | 1.3 mm |
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Вес изделия | 8 mg |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Полярность транзистора | NPN |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMBT5551L |
Технология | Si |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
CAHTS | 8541210000 |
CNHTS | 8541210000 |
ECCN | EAR99 |
JPHTS | 8541210101 |
KRHTS | 8541219000 |
MXHTS | 85412101 |
TARIC | 8541210000 |
USHTS | 8541210095 |