Ничего не куплено!
QSB363GR
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: QSB363GR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: QSB363GR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| QSB363GR Лист данных | скачать |
Фототранзисторы Phototransistor Si Infrared
| Фототранзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 75 mW |
| Вес изделия | 90 mg |
| Время нарастания | 15 us |
| Время спада | 15 us |
| Категория продукта | Фототранзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 25 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | QSB363 |
| Темновой ток | 100 nA |
| Тип | Photo Transistor |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | T-3/4 |
Страница создана за 0.856 секунд.