2N6123

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: 2N6123
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Med Pwr

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	40 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	BK
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	7 at 4 A, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	2.5 MHz
Производитель	Central Semiconductor
Размер фабричной упаковки	400
Серия	2N6123
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-220

Метки: